砷化镓 (GaAs)
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砷化镓以它优异的电子传输速度和光电效应在近年的信息革命中扮演着几十年前电子革命中硅材料的角色。它以手机,宽带上网,无线上网,光纤通信和卫星通信等新行术语已同我们生活密切相关。
砷化镓材料的制作和应用是由纯砷和镓合成并生长为砷化镓单晶材料,经过切,磨,抛和清洗制成单晶片,再经过各种电路制备工艺制成芯片或发光管和激光管,最后到各种器件。产业结构可划分为;
基片制作,芯片或发光管和激光管制作和器件制作。
砷化镓基片制作包括单晶生长和晶片加工。砷化镓单晶生长目前通行的有三种方法,LEC法,VGF/VB法和HB法,晶片加工是2英寸至6英寸超净级单双面抛光片。
砷化镓大规模商业化生产已经有几年的历史,光通讯和无线通讯给砷化镓的应用开拓了巨大的市场,但同时,随着市场的扩大给砷化镓材料制作商提出了更高的质量和更低的成本的要求。
中科镓英的经营理念就是"最好的质量,最低的成本"。
为达到最好的质量,中科镓英借鉴了日本,德国和美国砷化镓材料制作工艺的特点,全部采用日本,德国和美国的晶片加工设备设计创建了一个多功能,全自动晶片加工平台,特别是零级超净全封闭全自动晶片清洗平台可以保证晶片表面超高质量要求和高度均匀一致性。
为达到最低的成本,中科镓英在自行开发生产LEC法和VGF/VB法砷化镓单晶材料的同时,将与中国国内几个特色砷化镓单晶生产厂家组成联合体,利用中科镓英的晶片加工平台生产满足各种用户要求的最低成本最高质量的砷化镓单晶片。
中科镓英将在现已进行2英寸至6英寸超净级单双面抛光片的生产基础上,向多品种化合物半导体材料发展,现已具备2英寸至4英寸超净级磷化铟抛光片的商业性生产。
中科镓英将在化合物半导体材料应用上为用户提供最完善的服务。
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